本的历史上，荷国那个充斥着郁金香的国度，asml公司之所以能战胜光刻机的旧日王者尼康，靠的其实就是林本坚和沉浸式光刻技术。
这一次，林本坚已经被陆逸明给截胡过来了，asml的发展速度肯定会被拖慢，但后续怎么办，还很难说。
总而言之，这是一次机会，夏国的光刻机技术想要翻身，就必须抓住这个千载难逢的机遇。
陆逸明就和王行聊起了光刻机的发展历程。
毕竟是光学领域的专家，虽然已经退休了，但王行还是经常抽时间了解最新的技术前沿。而且作为过去那个时代的亲身经历者，王行对于光刻机的演变也有着更为深刻的了解。
王行对陆逸明说道：“第一、二代的光刻机，曝光方式基本上就是接触接近式，使用光源分别为436纳米的g-line和365纳米的i-line，接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触，所以易受污染，而接近式光刻机由于气垫影响，成像精度不高。”
“我记得那时候还是六十年代初，当时的夏国太穷了，很多地方甚至在闹饥荒，大家饭都吃不饱，否则想要追赶的话，很容易就能追上。”
陆逸明点头，也觉得有些可惜：“是啊，在科研领域，没钱真是寸步难行，一步慢步步慢，导致我们今天只能花十倍乃至百倍的代价，去弥补差距。甚至遇到一些难以绕开的专利壁垒，更是只能徒呼奈何，搞科研太难了。”
“但是再难也要搞，因为今天不做，以后再做，花费的代价只会更大。”
王行对陆逸明的话十分认同，对他的决心和志气，更是极为欣赏。
“第三代为扫描投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式创新为光学投影式光刻，以扫描的方式实现曝光，光源也改进为248纳米的krf激光，实现了跨越式发展，将最小工艺推进至180-130纳米。到了这个阶段，想要追赶就比较难了。”
陆逸明则是回答道：“其实更难的是第四代，步进式扫描投影光刻机，最具代表性的光刻机产品，1986年由asml首先推出，采用193纳米arf激光光源，实现了光刻过程中，掩模和硅片的同步移动，并且采用了缩小投影镜头，缩小比例达到5：1，有效提升了掩模的使用效率和曝光精度，将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶。”
“如今业界普遍认为193纳米光刻无法延伸到65纳米技术节点，而157纳米将成为主流技术。然而，
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