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第三百八十五章 技术难题

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在GaN中具有两性特征,既可替代N原子,也可替代Ga原子,或者与其他杂质和缺陷形成复合体,使GaN中C的掺杂机理非常复杂,成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。

所以说,确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。

燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一,理所当然的向该难题发起了冲击。

但结果……

就如同刚刚顾律所见到的那样,测量结果失败,该技术难题依旧存在。

让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。

顾律听后,摸着下巴,一直沉默不语,在沉思着什么。

足足几十秒后。

顾律视线直视着张主任,苦笑一下开口,“张主任,要是我说,这个难题我可以解决,你相信吗?”

张主任很显然的懵逼了一下。

因为顾律的这句话明显不在张主任的意料之中。

或者说……

张主任没想过这句话会从顾律口中说出来。

张主任足足愣了有十几秒,才狠狠咽口唾沫,开口问道,“顾律,你是说真的,你真的有办法?”

“五成把握吧。”顾律没有打一个十足的包票。

因为他也不确定那个办法,是否可以适用于宽禁带半导体领域。

五成把握!

这个数字在张主任看来已经很高了。

是值得一试的。

只不过,从顾律这样一个数学家口中说出这句话,总是有一种不靠谱的感觉。



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