石墨烯成核密度过高，生长速率过慢，单晶畴区尺寸多为百纳米级别，较少会出现微米、毫米级别的单晶材料。
而这个畴区尺寸的石墨烯单晶材料是无法用作石墨烯晶圆的。
如果说要批量生产英寸级别的石墨烯晶圆的话，需要的时间又相当长，有些得不偿失。
毕竟碳基芯片的性能再优异，也是需要一定的面积来支撑里面晶体管的数量的。
晶体管的数量提升不起来，这块芯片的性能也根本无法提升。
所以目前华国中科院成功研制出8英寸石墨烯晶圆片，使用的石墨烯单晶制备方法并不是化学气相沉积法。
而是使用的另外一种实验室制备法。
问题在于这种实验室制备法批量生产的成本很高，利用这种方法去生产石墨烯晶圆的话得不偿失。
中科院一直在寻找低成本制造石墨烯晶圆的办法，气相沉积法就是其中研究的重点。
但很可惜在解决了褶皱问题后，石墨烯单晶材料的生长面积又遭到了限制，让人很是气馁。
所以对于韩元会如何解决石墨烯单晶材料上的褶皱问题，华国的专家尤为期待。
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显示屏前，韩元仔细的检查着石墨烯单晶材料的检查数据以及在生产制造过程中的记录日志。
这些东西结合起来检查，基本能找到问题所在的点。
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就像飞机失事后检查现场的零件碎片以及黑匣子日志一样，通过这两样东西，基本能还原飞机失事时的场景。
很快，通过高温冶炼炉记录下来的数据信息吉和红外光谱仪的检查数据，韩元找到这块石墨烯单晶材料了为什么会出现裂纹的原因。
其实原因相当简单，那就是他之前失误了，使用的单晶镍基底材料过大，导致单体面积上的碳粉、石墨粉末这些材料不够量。
最终导致碳原子在加热重构到了一定程度后，形成的石墨烯单晶材料在冷却时因为自身的张力问题出现了晶体裂键的问题。
对于这种情况，解决办法并不算复杂，按照各种材料对应的比例增加份量就可以解决。
只不过根据材料的量需要同步修改高温冶炼炉中甲烷、乙烯等各种气体的含量、压强、制备时间等各种参数。
这对于韩元来说并不难，花费了一些时间，韩元重新调整了各种参数信息，开启了第二次的石墨烯制备。
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