硅，那amsl对于他们单晶硅的依赖，将可以轻易的更换供货商。
这是他们pou腹都无法挽回的损失。
.......
‘硅核心外延法’制备单晶硅优点有，缺点自然也是有的。
硅核心外延法制备单晶硅时，一般采用硅烷热分解外延来处理。
但硅烷易燃易爆，所以硅烷外延的设备要求较高。
而且硅烷外延受硅烷纯度的影响较大，外延层杂质的分布也比较难控制。
而且使用硅核心外延法制备单晶硅时，反应室中的反应是很复杂的。
有很多必须考虑的因素，比如沉积参数的变化范围是很宽的，反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程、.......、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等各种条件都需要考虑进去。
所以硅核心外延法相对于单晶炉制取单晶硅来说需要耗费更多的人力物理，以及更苛刻的条件。
不过这些对于韩元以及华国来说根本就不算什么。
韩元是手里有足够的技术，而华国，庞大的人口就是底蕴。
带着制备单晶硅的材料，韩元来到化学实验室，先将所有的材料清洗干净后再用蒸馏出来的纯净水清洗一遍。
尽量的减少附着在上面的杂质。
当然，这只是第一步，后面肯定还有繁多提纯冶炼的步骤的。
单晶硅的纯度小数点往后推移一点，制备的难度就呈几何形式提升的。
虽然通过‘硅核心外延法’制备出来的单晶硅纯度能达到99.9999999%以上。
但这只是理论阶段，他目前根本就做不到这种纯度的单晶硅冶炼提升。
环境和设备都达不到要求，以现在的情况来算，顶多能达到99.999%，不过用于制备毫米级的芯片倒是足够了。
毕竟级别都在毫米级了，要求也不会很高。
.......
清洗处理干净原材料后，韩元一边讲解，一边在化学实验室里面开始处理基础材料和溶液。
就像之前制备‘分布式布拉格反射镜’一样，先在化学实验室将一些能处理的基础材料处理好，然后再运送到无尘工作室进行剩下的步骤。
其实碳化硅半导体晶材用来制造硅基芯片的基底也是可以的。
不过韩元还是选择了单晶硅。
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